단국대 구용서 교수팀(공과대학 전자전기공학부)이 차세대 반도체 소재로 꼽히는 실리콘카바이드(이하 SiC)를 기반으로 하는 반도체의 정전기 방전을 최소화할 수 있는 기술을 세계 최초로 개발했다.
SiC 반도체 시장은 4차 산업으로 일컬어지는 전기자동차, 신재생 에너지 등의 발전에 필요한 핵심 기술로 각광 받고 있다.
SiC 반도체는 기존의 실리콘 반도체에 비해 에너지 밴드 갭이 3배나 넓다. 실리콘 반도체의 경우 밴드 갭이 넓으면 고온에서 반도체 성질을 잃어버리지만 SiC 반도체는 고온과 고전압 등의 극한 환경에서도 안정적인 구동이 가능하다는 장점이 있다.
또한 열전도도와 발열 제어가 우수하며 칩의 크기를 10분의 1 수준으로 줄일 수 있다.
구용서 교수팀은 SiC 반도체에 들어가는 MOSFET(산화막 반도체 전기장 효과 트랜지스터)와 SCR(실리콘 제어 정류소자)의 구조를 개선하고, 새로운 반도체 설계 기법을 적용해 정전기 방전을 효과적으로 제어할 수 있는 것으로 알려졌다.
새로 개발된 소자는 기존의 실리콘 MOSFET과 SCR에 비해 10배 이상의 정전기 내성을 지닌다. 또한 10배 이상의 고전압과 5배의 고온을 견딜 수 있어 반도체의 신뢰성을 크게 향상시켰다. 특히 ESD 보호 기술은 상용화가 가능한 정도의 안전 동작 영역(SOA)을 보인다.
구용서 교수팀의 연구 성과는 전기자동차, 신재생 에너지, 우주 항공, 심층 시추 등의 고효율의 전력 반도체가 필요한 분야에 폭넓게 응용될 수 있을 것으로 기대된다.
구용서 교수는 "이번 연구를 통해 SiC 기반 반도체 산업 발전의 난제였던 정전기 방전 보호 기술을 크게 개선함으로써 우리나라 4차 산업혁명의 핵심 분야인 반도체 분야의 산업 발전에 기여할 수 있을 것"이라고 밝혔다.
용인/박승용기자 psy@kyeongin.com